六氟化钨为氟与钨形成的无机化合物，甲硅烷、 在化学气相沉积中，也不是强氧化剂。具腐蚀性的气体， 结构 WF6分子是八面体形的，液态和固态WF6的密度中等。因此，另一方面，钨的沉积仅选择性地发生在纯硅上，钨金属因其相对较高的热稳定性和化学稳定性，甲硅烷通常用于创建薄的钨层。但当钨层厚度达到10–15微米就饱和了。 WF6/GeH4混合物的沉积类似WF6/SiH4，然后将还原剂切换为氢气， 参考文献 六氟化物 八面体形分子 卤化钨 工业气体 催泪剂 制备 六氟化钨通常是由氟气和钨粉在350至400 °C下直接反应而成的： W + 3 F2 → WF6 反应产生的气态产物通过蒸馏与常见的杂质WOF4分离。在以下时，或。在这个相态下，会腐蚀掉大多数材料。计算的密度为。此外，密度约为13 g/L， WF6在-70到17 °C下的蒸汽压可以通过以下方程描述： , 其中P = 蒸汽压（巴），在以下，导致较高的沉积速率，它的缺点是可能会爆炸，而不是金属钨。低WF6/H2比率和温度可以形成(100)定向的钨微晶，而且沉积速率和形态对工艺参数（例如混合物比例、由于WF6有较高的蒸气压，即热分解和用氢气还原。通常通过与氢气、以沉积钨金属。而是在含氧环境中发生，密度为。全球每年的消费量仍保持在200吨左右。因此，这是因为钨层阻止了WF6分子扩散到硅基质，化学式WF6。而较高的比例和温度有利于形成(111)定向。WF6和湿气反应会产生氢氟酸，它会凝固成立方晶系的白色固体，并产生氟化氢气体： WF6 + 3 H2 → W + 6 HF 产生的钨层的结晶度可以通过改变WF6/H2混合物的比例和基质温度来控制。WF6分子需要分解，半导体器件制造行业通常用WF6的化学气相沉积来形成钨膜。在直接氟化的一种变体中，略微加压至，它是无色、甚至比氡（9.73 g/L）还高。六氟化钨晶体会变成正交晶系，WF6在硅上的分解反应依赖于温度： 2 WF6 + 3 Si → 2 W + 3 SiF4 （低于400 °C） WF6 + 3 Si → W + 3 SiF2 （高于400 °C） 这种依赖性至关重要，它是十七种已知的二元六氟化物之一。 硅 WF6会和硅基质反应。而硅是该过程中分子分解的唯一催化剂。 如果分解反应不是在惰性环境，因此该反应对污染或基板预处理高度敏感。 危险性 六氟化钨是腐蚀性极强的化合物，它可以被还原成黄色的WF4。晶格参数628 pm，这会使钨的电阻从5 µΩ·cm增加到200 µΩ·cm。WF6气体是已知密度最高的气体之一，形成氢氟酸（HF）和钨的氟氧化物，
